cmos电路设计·布局与仿真

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cmos电路设计·布局与仿真 超星版免费电子书
本书全面阐述了CMOS集成电路设计的理论与相关技术，内容覆盖集成电路、仿真和物理实现的全过程。书中以现代观点对大量模拟和数字电路模块、BSIM模型、数据转换器的体系结构等内容进行了深入讨论。本书内容翔实，理论联系实际，包含大量习题，方便教学。本书可以作为集成电路设计师、版图设计师、集成电路项目管理人员以及相关专业的教授和科研工作者的高层次教科书或参考书。
主要内容
锁相环和延迟锁相环、混合信号电路以及数据转换器的设计
1000多张图表、200多个实例和500多道章末习题
对模拟和数字电路设计技术的深入讨论
MOSIS制造流程及其他重要专题
第一部分 CMOS基础
第1章 概述
1.1 CMOS集成电路的设计流程
1.2 在Windows环境下使用LASI软件
1.2.1 LASI中的单元
1.2.2 浏览LASI的画图窗口
1.2.3 添加对象
1.2.4 编辑对象
1.2.5 放置单元
1.2.6 常见问题
1.3 MOSIS
参考文献
习题
第2章 阱
2.1 衬底
2.1.1 图形转移
2.1.2 n阱图形的转移
2.2 n阱的版图设计
2.2.1 n阱的设计规则
2.2.2 LasiDrc程序的使用
2.3 n阱电阻阻值的计算
2.4 n阱/p衬底二极管
2.4.1 耗尽层电容
2.4.2 存储电容
2.4.3 SPICE建模
2.5 n阱的RC延迟
参考文献
习题
第3章 金属层
3.1 压焊点
3.1.1 压点的版图设计
3.1.2 压点的设计规则
3.2 金属层的版图设计
3.2.1 金属层的设计规则
3.2.2 与金属层相关的寄生效应
3.2.3 电流承载极限
3.2.4 与通孔层相关的寄生效应
3.3 串扰和地线扰动
3.4 层级化的版图设计
参考文献
习题
第4章 有源区层和多晶硅层
4.1 设计规则
4.1.1 n+/p+有源区的设计规则
4.1.2 polyl的设计规则
4.2 标准单元框的版图
4.3 有源区层的图形转移
4.4 MOSFET的版图
参考文献
习题
第5章 MOSFET
5.1 MOSFET电容
5.1.1 情形一：积累
5.1.2 情形二：耗尽
5.1.3 情形三：强反型
5.1.4 小结
5.2 阈值电压
5.3 MOSFET的I-V特性
5.3.1 工作于线性区的MOSFET
5.3.2 工作于饱和区的MOSFET
5.4 MOSFET的SPICE模型
5.4.1 Level 1模型中与VmN相关的参数
5.4.2 Level 1模型中与跨导相关的参数
5.4.3 与源/漏注入区相关的SPICE模型参数
5.4.4 MOSFET的版图
参考文献
习题
第6章 BSIM SPICE模型
6.1 BSIM 1模型参数
6.2 BSIM 1直流公式
6.2.1 阈值电压
6.2.2 漏电流
6.2.3 亚阈值电流
6.3 短沟道MOSFET
6.3.1 MOSFET的按比例缩小
6.3.2 短沟道效应
6.4 BSIM3 SPICE模型
6.5 收敛性
参考文献
习题
第7章 CMOS无源元件
7.1 第二层多晶硅
7.1.1 多晶硅电容的设计规则
7.1.2 多晶硅电容的寄生效应
7.1.3 其他类型的电容
7.2 电阻、电容与温度和电压的关系
7.2.1 电阻
7.2.2 电容
7.3 电阻的噪声
参考文献
习题
第8章 用Lasickt做设计验证
8.1 LasiCkt基础
8.2 反相器
8.3 用LasiCkt做设计验证
8.4 更高层级的单元：OR门
参考文献
第9章 MOSFET的模拟模型
9.1 MOSFET的低频模型
9.2 MOSFET的高频模型
9.3 MOSFET的温度效应
9.4 MOSFET的噪声
参考文献
习题
第10章 MOSFET的数字模型
10.1 MOSFET的数字模型
10.1.1 电容的影响
10.1.2 MOS管的时间常数
10.1.3 延迟时间和转换时间
10.2 串联连接的MOSFET
10.2.1 串联MOSFET的直流特性
10.2.2 串联MOSFET的延迟
参考文献
习题
课堂训练项目

第二部分 CMOS数字电路
第11章 反相器
11.1 直流特性
11.1.1 噪声容限
11.1.2 反相器的转换点
11.2 开关特性
11.2.1 环路振荡器
11.2.2 动态功耗
11.3 反相器的版图
11.4 驱动大电容负载时反相器的设计
11.4.1 分布式驱动器
11.4.2 驱动较长的互连线
11.5 其他类型的反相器
11.5.1 仅由NMOS管构成的输出 驱动器
11.5.2 三态输出反相器
11.5.3 自举NMOS反相器
参考文献
习题
第12章 静态逻辑门
12.1 NAND和NOR逻辑门的直流特性
12.1.1 NAND逻辑门的直流特性
12.1.2 NOR逻辑门的直流特性
12.2 NOR门和NAND门的版图设计
12.3 开关特性
12.3.1 NAND门
12.3.2 输入信号的数目
12.4 复杂的CMOS逻辑门
12.4.1 级联电压开关逻辑
12.4.2 差分分级逻辑
12.4.3 三态输出
参考文献
习题
第13章 传输门和触发器
13.1 传输管
13.2 CMOS传输门
13.2.1 CMOS传输门的版图设计
13.2.2 传输门的级联
13.3 传输门的应用
13.4 触发器
参考文献
习题
第14章 动态逻辑电路
14.1 动态电路基础
14.1.1 电荷泄漏
14.1.2 动态电路的仿真
14.1.3 不交迭时钟的产生
14.1.4 动态电路中的CMOS传输门
14.2 时钟控制的CMOS逻辑
参考文献
习题
第15章 VLSI版图设计
15.1 VLSI版图
15.2 版图设计流程
参考文献
习题
第16章 BiCMOS逻辑门
16.1 结型隔离的双极晶体管版图
16.2 NPN晶体管模型
16.3 BiCMOS反相器
16.4 其他的BiCMOS逻辑门
16.5 BiCMOS电平转换电路
参考文献
习题
第17章 存储电路
17.1 RAM存储单元
17.1.1 DRAM存储单元
17.1.2 SRAM存储单元
17.2 灵敏放大器
17.3 行/列译码器
17.4 DRAM的工作时序


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