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《超大规模集成电路--系统和电路的设计原理》NLC版电子书
1.绪论…………
1.1集成电路的发展和意义……
1.2超大规模集成电路的优点………
1.2.1降低生产成本…………………………·
1.2.2提高工作速度…………………………
1.2.3降低功耗………………-………
1.2.4简化逻辑电子线路………………
1.2.6优越的可靠性…………………………
1.2.6体积小重量轻……………………
1.2.7缩短电子产品的设计和组装周期……
1.3集成电路工艺分类…………………··
1.4集成电路的规模……………………·
1.5 AsIC技术的发展…………………··
参考文献“…………·……………………”
2.MOS器件和电路…………………………·-
2.1 MOs晶体管…………………………·-
2.1.1增强型nMoS晶体管的基本工作原理…
2.1.2 nMOS晶体管的伏安特性……………”
2.1.3阈值电压………………………………”
2.1.4 pMOS晶体管…………………………“
2.1.5 MOS晶体管的工作速度……………“
2.2 nM0s基本电路……………………-·
2.2.1 nMOS匣相器-.-………………………·一
2.2.2超驱动器………………………………”
2.2.3传输门…………………………………“
2.2.1传输门后的反相器设计………………一
2.3 CMOS基本电路……………………··
2.3.1 MOS开关………………………………
2.3.2 MOS开关的组合逻辑…………………
2.3.3 CMOS反相器…………………………”
3.3.4 CMOS组合逻辑门电路…………………
2.3.5 CMOS多路开美……………………一
1.集成电路的制造……·……………………-
3.1概述………………………………………
3.2集成电路涮造的基本工艺………………
3.2.1掺杂工艺……………一……………一-…“
3.2.2氧化工艺…-¨………………………………
3.2.3淀积工艺…………”………………-………·
3.2.t光刻工艺…“…………………………”…”
3.2.5清洗技术……………………………………
3.2.6纯化技术……………一……………………
3.3 nMOs集成电路加工过程………………
3.4 cM0s加工过程………………………“
3.4.1 p阱CMOS工艺…………一………………·
3.4.2 n阱CMOS工艺…………………一……··
3.4.3 CMOS工艺中的衬底接触-………………··
3.5成品率……………………………………
3.6集成电路经济分析………………………
参考文献………………………………………
MOs电路基本特性和性能分析………………
4.1电阻估算…………………………………
4.1.1方块电阻R…………………-……………
4.1.2非矩形导体电阻计算……………………“
4.1.3 MOS管淘道电阻计算…一………………“
4.2 MOs器件的电容………………………··
4.2.1导电层的面电窖(Area Capacitante)”
4.2.2互连线电容……………一…………………-
4.3延迟时间t………………………………
4.4反相器延迟……………·……………“
4.4.1 nMOS反相器延迟…………………-………
4.4.2 CMOS反相器延迟……·…………………
4.5多晶硅长线的影响………-……·……
4.6导电层的选用…………·………………--
4.7大电容负载的驱动………………………
4.8噪声容限…………………………………
4.9电豫功耗…………………………………
4.10体硅CMos的可控硅闩锁效应………
4.10.1闩锁效应的起因……“…………………--
4.10.2闩锁效应的控制“……………………·
4.cMOs和nMOs的比较…………-…”
4.2 MOS电路的按比例缩小原理…·……-
4.12.1按比例缩小的CE理论……………………·
备注::
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