Altera研究生电子设计比赛第四届试题

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竞赛分笔试与上机:
竞賽笔试题:
1． 下图所示为P阱硅柵CMOS反相器的剖面图，试给出该硅柵CMOS反相器的基本工艺流程（可根据所需光刻版给出流程）。（3分）
2． 请选择正确答案：（1分）
a) 制版和光刻这两种工艺在集成电路制造中十分重要。我们知道，版分为阳版（正版）和阴版（负版）。所谓阳版，其透明部分（对应嚗光部分）的图形，将会在光刻后被：（A）除去；（B）保留。

b) 刻工艺中用的胶，有正胶和负胶之分，所谓正胶，其嚗光部分的图形，将会在光刻后被：（A）除去；（B）保留。

3． 假定铝的方块电阻为0.05Ω/□，多晶硅为30Ω/□。如果线宽为4μm，线长为5μm，用这两种材料构成的导线的电阻各为多少？随着集成电路工艺的发展，线条的宽度也在缩小。如果线宽缩为0.5μm，线长不变，试再次计算它们的电阻各为多少？（注：不计线端头引出区的电阻值）（4分）
上机：
Barrel shifter设计

在现代高速RISC微处器里，为了实现在单时钟周期内各种高速的移位操作，都普遍采用Barrel shifter来实现，Barrel shifter已经成为其中一个重要组成部分，barrel shifter设计的最终面积与速度，直接影响着整个RISC系统的性能。实际上的barrel shifter的设计方法有两种，一种是把结构手工在晶体管级电路上布线实现，这样设计可以做到速度和面积上的最优化，但比较复杂，难度也很大，另一种是在门级电路上实现，这样的设计易于理解，但速度稍逊，以下题目，要求用HDL语言实现两种结构以上的可综合的桶形移位器（barrel shifter），综合成为门级电路，并在FPGA内实行，要求如下：

系统要求：
桶形移位器从物理结构上分为多种，要求在指定的时间内完成两种以上的桶形移位器，并附相应的各类型结构的示意图形以及文字描述，文字描述包括：在移位过程中，补零/补符号位如何操作，循环移位时的政策。输入输出区域划分


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